Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80P03P4L04ATMA2
IPB80P03P4L04ATMA2

IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

infineon-i80p03p4l_04-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+154.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB80P03P4L04ATMA2 за ціною від 89.22 грн до 214.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB80P03P4L04ATMA2 IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon_I80P03P4L_04_DataSheet_v01_01_EN-3361954.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+214.16 грн
10+170.73 грн
25+147.00 грн
100+107.50 грн
500+89.95 грн
1000+89.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 IPB80P03P4L04ATMA2 INFINEON INFNS12993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 IPB80P03P4L04ATMA2 INFINEON INFNS12993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon_I80P03P4L_04_DataSheet_v01_01_EN-3361954.pdf
IPB80P03P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.16 грн
10+170.73 грн
25+147.00 грн
100+107.50 грн
500+89.95 грн
1000+89.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 INFNS12993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80P03P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 INFNS12993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80P03P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.