IPB80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 57.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPB80P03P4L07ATMA2 за ціною від 49.56 грн до 132.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB80P03P4L07ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V |
на замовлення 1512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB80P03P4L07ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB80P03P4L07ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET Transistor |
товар відсутній |