IPB80P04P405ATMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 184.86 грн |
| 10+ | 153.50 грн |
| 100+ | 113.06 грн |
| 500+ | 85.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB80P04P405ATMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPB80P04P405ATMA2 за ціною від 71.73 грн до 190.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB80P04P405ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB80P04P405ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IPB80P04P405ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 4266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IPB80P04P405ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET Transistor |
товару немає в наявності |