Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80P04P407ATMA2
IPB80P04P407ATMA2

IPB80P04P407ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I80P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783099142e25 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+72.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80P04P407ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB80P04P407ATMA2 за ціною від 72.39 грн до 230.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80P04P407ATMA2 IPB80P04P407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783099142e25 Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.78 грн
10+144.68 грн
100+100.44 грн
500+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80P04P4_07_DS_v01_00_en-1731853.pdf MOSFETs N
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.16 грн
10+158.21 грн
100+101.52 грн
500+82.40 грн
1000+72.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80p04p4-07_ds_10.pdf Power MOSFET Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.