Продукція > INFINEON > IPB80P04P4L04ATMA2
IPB80P04P4L04ATMA2

IPB80P04P4L04ATMA2 INFINEON

INFN-S-A0008993184-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+151.74 грн
500+118.65 грн
1000+108.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80P04P4L04ATMA2 INFINEON

Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB80P04P4L04ATMA2 за ціною від 108.00 грн до 321.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80P04P4L04ATMA2 IPB80P04P4L04ATMA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0008993184-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.22 грн
10+188.12 грн
100+151.74 грн
500+118.65 грн
1000+108.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L04ATMA2 IPB80P04P4L04ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.64 грн
10+184.98 грн
100+130.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L04ATMA2 IPB80P04P4L04ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80P04P4L_04_DataSheet_v01_01_EN-3362927.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.15 грн
10+219.23 грн
100+140.80 грн
500+114.70 грн
1000+109.16 грн
2000+108.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L04ATMA2 IPB80P04P4L04ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i80p04p4l_04-datasheet-v01_01-en.pdf Power MOSFET Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L04ATMA2 IPB80P04P4L04ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.