IPB80P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 103.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB80P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB80P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB80P04P4L04ATMA2 за ціною від 103.99 грн до 309.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB80P04P4L04ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB80P04P4L04ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V |
на замовлення 7675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB80P04P4L04ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB80P04P4L04ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 2924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB80P04P4L04ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET Transistor |
товару немає в наявності |