Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80P04P4L06ATMA2
IPB80P04P4L06ATMA2

IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB80P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB80P04P4L06ATMA2 за ціною від 52.30 грн до 204.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14 Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.58 грн
10+112.85 грн
100+77.52 грн
500+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 INFINEON 2876648.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.75 грн
10+132.39 грн
100+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80P04P4L_DataSheet_v01_01_EN-3362515.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.35 грн
10+113.48 грн
25+96.56 грн
100+76.12 грн
250+73.30 грн
500+62.59 грн
1000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+181.58 грн
10+112.85 грн
100+77.52 грн
500+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 2876648.pdf
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+204.75 грн
10+132.39 грн
100+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon_IPP_B_I80P04P4L_DataSheet_v01_01_EN-3362515.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+160.35 грн
10+113.48 грн
25+96.56 грн
100+76.12 грн
250+73.30 грн
500+62.59 грн
1000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.