Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80P04P4L06ATMA2
IPB80P04P4L06ATMA2

IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB80P04P4L06ATMA2 за ціною від 57.26 грн до 219.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i80p04p4l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+126.44 грн
500+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14 Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.27 грн
10+109.55 грн
100+75.26 грн
500+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i80p04p4l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.16 грн
105+134.87 грн
124+113.33 грн
500+99.35 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 INFINEON 2876648.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 INFINEON 2876648.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80P04P4L_DataSheet_v01_01_EN-3362515.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 infineon-ipp_b_i80p04p4l-datasheet-v01_01-en.pdf
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+126.44 грн
500+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.27 грн
10+109.55 грн
100+75.26 грн
500+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 infineon-ipp_b_i80p04p4l-datasheet-v01_01-en.pdf
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+219.16 грн
105+134.87 грн
124+113.33 грн
500+99.35 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 2876648.pdf
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 2876648.pdf
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon_IPP_B_I80P04P4L_DataSheet_v01_01_EN-3362515.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.