IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 61.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPB80P04P4L08ATMA2 за ціною від 52.01 грн до 206.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB80P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB80P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB80P04P4L08ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB80P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET Transistor |
товару немає в наявності |