Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80P04P4L08ATMA2
IPB80P04P4L08ATMA2

IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies

IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB80P04P4L08ATMA2 за ціною від 46.59 грн до 179.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB80P04P4L08ATMA2 IPB80P04P4L08ATMA2 INFINEON IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.87 грн
500+56.81 грн
1000+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80P04P4L_08_DataSheet_v01_01_EN-3362563.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.39 грн
10+106.99 грн
100+66.18 грн
500+61.25 грн
1000+50.18 грн
2000+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.41 грн
10+119.80 грн
100+82.00 грн
500+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 IPB80P04P4L08ATMA2 INFINEON INFN-S-A0003258162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.26 грн
10+115.94 грн
100+79.93 грн
500+54.44 грн
1000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf
IPB80P04P4L08ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+83.87 грн
500+56.81 грн
1000+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon_IPP_B_I80P04P4L_08_DataSheet_v01_01_EN-3362563.pdf
IPB80P04P4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+132.39 грн
10+106.99 грн
100+66.18 грн
500+61.25 грн
1000+50.18 грн
2000+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf
IPB80P04P4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+178.41 грн
10+119.80 грн
100+82.00 грн
500+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 INFN-S-A0003258162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80P04P4L08ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+179.26 грн
10+115.94 грн
100+79.93 грн
500+54.44 грн
1000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.