Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB90N04S402ATMA1

IPB90N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB90N04S402ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 23895545-3
Price: 457.06 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPP_B_I90N04S4_02-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c7efe515e2f&ack=t

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	228.53 грн
10+	143.04 грн
50+	109.73 грн
100+	92.89 грн
500+	75.22 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Товар під замовлення

Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.

термін постачання: 21-31 дні (днів)

Мінімальна партія: 2 шт

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB90N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB90N04S402ATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
IPB90N04S402ATMA1	Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.
IPB90N04S402ATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs N	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IPB90N04S402ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; D2PAK,TO263AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263AB Mounting: SMD Gate charge: 118nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.
IPB90N04S402ATMA1	Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.

IPB90N04S402ATMA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB90N04S402ATMA1

Infineon_IPP_B_I90N04S4_02_DS_v01_01_en-3360019.pdf

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB90N04S402ATMA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB90N04S402ATMA1

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.