Продукція > INFINEON > IPB90N06S404ATMA2
IPB90N06S404ATMA2

IPB90N06S404ATMA2 INFINEON

Infineon-I90N06S4_04-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038cce6020cda Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB90N06S404ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB90N06S404ATMA2 за ціною від 76.51 грн до 319.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-I90N06S4_04-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038cce6020cda Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-I90N06S4_04-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038cce6020cda Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.35 грн
10+93.49 грн
100+87.65 грн
500+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4-04_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+319.26 грн
60+203.35 грн
75+164.71 грн
100+149.03 грн
200+137.08 грн
500+116.78 грн
1000+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4-04_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-I90N06S4_04-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038cce6020cda Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_I90N06S4_04_DS_v01_02_en-1731421.pdf MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.