Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB90N06S404ATMA2
IPB90N06S404ATMA2

IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-I90N06S4_04-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038cce6020cda
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+92.90 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Інші пропозиції IPB90N06S404ATMA2 за ціною від 126.00 грн до 369.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4-04_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+369.26 грн
60+235.20 грн
75+190.51 грн
100+172.37 грн
200+158.55 грн
500+135.07 грн
1000+126.00 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 INFINEON INFNS13317-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 INFINEON INFNS13317-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2 ipp_b_i90n06s4-04_ds_11.pdf
IPB90N06S404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+369.26 грн
60+235.20 грн
75+190.51 грн
100+172.37 грн
200+158.55 грн
500+135.07 грн
1000+126.00 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2 INFNS13317-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB90N06S404ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2 INFNS13317-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB90N06S404ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.