Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB90N06S4L04ATMA2
IPB90N06S4L04ATMA2

IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies

infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+87.01 грн
3000+75.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції IPB90N06S4L04ATMA2 за ціною від 80.33 грн до 284.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.70 грн
10+199.75 грн
25+197.71 грн
100+169.69 грн
250+155.47 грн
500+130.12 грн
1000+112.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+201.70 грн
74+197.71 грн
100+169.69 грн
250+155.47 грн
500+130.12 грн
1000+112.00 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.00 грн
10+169.42 грн
50+130.44 грн
100+110.64 грн
500+89.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+284.66 грн
10+143.32 грн
100+111.11 грн
500+86.34 грн
1000+82.58 грн
2000+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 INFINEON infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 INFINEON infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+135.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+135.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+201.70 грн
10+199.75 грн
25+197.71 грн
100+169.69 грн
250+155.47 грн
500+130.12 грн
1000+112.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+201.70 грн
74+197.71 грн
100+169.69 грн
250+155.47 грн
500+130.12 грн
1000+112.00 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.00 грн
10+169.42 грн
50+130.44 грн
100+110.64 грн
500+89.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.66 грн
10+143.32 грн
100+111.11 грн
500+86.34 грн
1000+82.58 грн
2000+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.