Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB90N06S4L04ATMA2
IPB90N06S4L04ATMA2

IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB90N06S4L04ATMA2 за ціною від 61.67 грн до 238.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 INFINEON Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3 Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.72 грн
500+80.94 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.60 грн
10+137.79 грн
100+85.28 грн
500+72.60 грн
1000+62.45 грн
2000+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.71 грн
10+132.40 грн
100+91.75 грн
500+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 INFINEON INFNS14123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.47 грн
10+154.59 грн
100+107.72 грн
500+80.94 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+107.72 грн
500+80.94 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+191.60 грн
10+137.79 грн
100+85.28 грн
500+72.60 грн
1000+62.45 грн
2000+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+211.71 грн
10+132.40 грн
100+91.75 грн
500+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 INFNS14123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+238.47 грн
10+154.59 грн
100+107.72 грн
500+80.94 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.