Інші пропозиції IPB90R340C3ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB90R340C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
| IPB90R340C3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPB90R340C3ATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IPB90R340C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPB90R340C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IPB90R340C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 900V 15A D2PAK-2 |
товару немає в наявності |