IPB90R340C3ATMA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 182.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB90R340C3ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPB90R340C3ATMA2 за ціною від 153.68 грн до 524.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 15A Power dissipation: 208W Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |