Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB95R310PFD7ATMA1
IPB95R310PFD7ATMA1

IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB95R310PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb45264031b Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+108.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER_NEW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPB95R310PFD7ATMA1 за ціною від 114.51 грн до 340.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB95R310PFD7ATMA1 IPB95R310PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB95R310PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb45264031b Description: LOW POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.50 грн
10+189.50 грн
100+134.81 грн
500+114.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1 IPB95R310PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB95R310PFD7_DataSheet_v02_01_EN-3011920.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.34 грн
10+235.33 грн
25+192.30 грн
100+148.76 грн
250+145.13 грн
500+122.64 грн
1000+116.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1
Код товару: 206249
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPB95R310PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb45264031b Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb95r310pfd7-datasheet-v02_01-en.pdf N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1 IPB95R310PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb95r310pfd7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.