Продукція > Транзистори > IGBT > IPB95R310PFD7ATMA1

IPB95R310PFD7ATMA1

Infineon-IPB95R310PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb45264031b
Код товару: 206249
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB95R310PFD7ATMA1 за ціною від 78.70 грн до 322.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB95R310PFD7ATMA1 IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB95R310PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb45264031b Description: LOW POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.65 грн
2000+101.48 грн
3000+97.91 грн
5000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1 IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB95R310PFD7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.61 грн
10+193.71 грн
100+120.81 грн
500+99.41 грн
1000+91.82 грн
2000+84.22 грн
5000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1 IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB95R310PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb45264031b Description: LOW POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.30 грн
10+203.42 грн
100+142.72 грн
500+109.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon-IPB95R310PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb45264031b
IPB95R310PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+112.65 грн
2000+101.48 грн
3000+97.91 грн
5000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon_IPB95R310PFD7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPB95R310PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.61 грн
10+193.71 грн
100+120.81 грн
500+99.41 грн
1000+91.82 грн
2000+84.22 грн
5000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon-IPB95R310PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb45264031b
IPB95R310PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.30 грн
10+203.42 грн
100+142.72 грн
500+109.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.