Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB95R450PFD7ATMA1
IPB95R450PFD7ATMA1

IPB95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB95R450PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb905600405 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.92 грн
10+170.18 грн
100+119.03 грн
500+91.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPB95R450PFD7ATMA1 за ціною від 81.46 грн до 282.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB95R450PFD7ATMA1 IPB95R450PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB95R450PFD7_DataSheet_v02_01_EN-3011909.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.56 грн
10+183.99 грн
100+112.29 грн
500+93.94 грн
1000+92.47 грн
2000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R450PFD7ATMA1 IPB95R450PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb95r450pfd7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R450PFD7ATMA1 IPB95R450PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB95R450PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb905600405 Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.