Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPBE65R050CFD7AATMA1
IPBE65R050CFD7AATMA1

IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+307.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPBE65R050CFD7AATMA1 за ціною від 277.77 грн до 668.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPBE65R050CFD7AATMA1 IPBE65R050CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPBE65R050CFD7A_DataSheet_v02_02_EN-3362557.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.15 грн
10+481.92 грн
25+404.38 грн
100+310.44 грн
250+309.71 грн
500+292.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R050CFD7AATMA1 IPBE65R050CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87 Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+668.46 грн
10+440.73 грн
100+325.89 грн
500+277.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R050CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipbe65r050cfd7a-datasheet-v02_02-en.pdf N-Channel MOSFET Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.