Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPBE65R099CFD7AATMA1
IPBE65R099CFD7AATMA1

IPBE65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPBE65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a8d847c8d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.53 грн
10+281.93 грн
100+203.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPBE65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 127W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPBE65R099CFD7AATMA1 за ціною від 178.77 грн до 485.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPBE65R099CFD7AATMA1 IPBE65R099CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPBE65R099CFD7A_DataSheet_v02_02_EN-3362352.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.80 грн
10+327.42 грн
25+282.50 грн
100+205.26 грн
500+203.05 грн
1000+178.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R099CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipbe65r099cfd7a-datasheet-v02_02-en.pdf N-Channel MOSFET Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R099CFD7AATMA1 IPBE65R099CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPBE65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a8d847c8d Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.