Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPBE65R115CFD7AATMA1
IPBE65R115CFD7AATMA1

IPBE65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPBE65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f33391547c90 Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.78 грн
10+239.06 грн
100+171.26 грн
500+153.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPBE65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-11, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPBE65R115CFD7AATMA1 за ціною від 144.58 грн до 422.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPBE65R115CFD7AATMA1 IPBE65R115CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPBE65R115CFD7A_DataSheet_v02_02_EN-3362550.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.12 грн
10+285.27 грн
100+177.61 грн
500+156.32 грн
1000+144.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R115CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipbe65r115cfd7a-datasheet-v02_02-en.pdf N-Channel MOSFET Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R115CFD7AATMA1 IPBE65R115CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPBE65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f33391547c90 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.