
IPBE65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 396.31 грн |
10+ | 265.84 грн |
100+ | 190.73 грн |
500+ | 148.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPBE65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-11, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPBE65R115CFD7AATMA1 за ціною від 155.23 грн до 403.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPBE65R115CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPBE65R115CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
IPBE65R115CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |