Технічний опис IPC020N10L3X1SA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12µA, Supplier Device Package: Sawn on foil, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Інші пропозиції IPC020N10L3X1SA1 за ціною від 55.16 грн до 55.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPC020N10L3X1SA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin Chip Wafer |
на замовлення 12794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPC020N10L3X1SA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin Chip Wafer
Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin Chip Wafer
на замовлення 12794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 55.16 грн |