IPC020N10L3X1SA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 259+ | 54.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC020N10L3X1SA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12µA, Supplier Device Package: Sawn on foil, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Інші пропозиції IPC020N10L3X1SA1 за ціною від 54.42 грн до 54.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPC020N10L3X1SA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin Chip Wafer |
на замовлення 12794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IPC020N10L3X1SA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12µA Supplier Device Package: Sawn on foil Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
товару немає в наявності |