Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPC100N04S51R2ATMA1
IPC100N04S51R2ATMA1

IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

Інші пропозиції IPC100N04S51R2ATMA1 за ціною від 34.50 грн до 299.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.51 грн
18+41.94 грн
19+40.84 грн
25+38.99 грн
100+35.96 грн
250+34.51 грн
3000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+84.17 грн
250+81.78 грн
500+76.91 грн
1000+67.00 грн
2000+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 176515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+118.25 грн
500+105.93 грн
1000+97.69 грн
10000+83.98 грн
100000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 823578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+118.25 грн
500+105.93 грн
1000+97.69 грн
10000+83.98 грн
100000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+118.25 грн
500+105.93 грн
1000+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.12 грн
10+111.70 грн
100+76.52 грн
500+57.68 грн
1000+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5_1R2_DS_v01_03_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 19895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+299.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.51 грн
18+41.94 грн
19+40.84 грн
25+38.99 грн
100+35.96 грн
250+34.51 грн
3000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
197+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
167+84.17 грн
250+81.78 грн
500+76.91 грн
1000+67.00 грн
2000+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 176515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
298+118.25 грн
500+105.93 грн
1000+97.69 грн
10000+83.98 грн
100000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 823578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
298+118.25 грн
500+105.93 грн
1000+97.69 грн
10000+83.98 грн
100000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
298+118.25 грн
500+105.93 грн
1000+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.12 грн
10+111.70 грн
100+76.52 грн
500+57.68 грн
1000+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon_IPC100N04S5_1R2_DS_v01_03_EN.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 19895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 INFN-S-A0003614497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.