Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPC100N04S51R7ATMA1
IPC100N04S51R7ATMA1

IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+42.04 грн
10000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції IPC100N04S51R7ATMA1 за ціною від 43.95 грн до 156.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies 1424309795392940infineon-ipc100n04s5-1r7-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 21615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+95.26 грн
500+85.74 грн
1000+79.06 грн
10000+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies 1424309795392940infineon-ipc100n04s5-1r7-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 327825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+95.26 грн
500+85.74 грн
1000+79.06 грн
10000+67.97 грн
100000+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies 1424309795392940infineon-ipc100n04s5-1r7-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+95.26 грн
500+85.74 грн
1000+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3 Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
10+96.39 грн
100+65.46 грн
500+49.00 грн
1000+44.99 грн
2000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5_1R7_DS_v01_03_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3 Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.46 грн
10+128.51 грн
25+126.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 1424309795392940infineon-ipc100n04s5-1r7-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 21615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
372+95.26 грн
500+85.74 грн
1000+79.06 грн
10000+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 1424309795392940infineon-ipc100n04s5-1r7-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 327825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
372+95.26 грн
500+85.74 грн
1000+79.06 грн
10000+67.97 грн
100000+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 1424309795392940infineon-ipc100n04s5-1r7-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
372+95.26 грн
500+85.74 грн
1000+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3
IPC100N04S51R7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.76 грн
10+96.39 грн
100+65.46 грн
500+49.00 грн
1000+44.99 грн
2000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon_IPC100N04S5_1R7_DS_v01_03_EN.pdf
IPC100N04S51R7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 INFN-S-A0003614972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPC100N04S51R7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 INFN-S-A0003614972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPC100N04S51R7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+148.46 грн
10+128.51 грн
25+126.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.