IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 41.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPC100N04S51R7ATMA1 за ціною від 42.37 грн до 149.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPC100N04S51R7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPC100N04S51R7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 21615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPC100N04S51R7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 327825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPC100N04S51R7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 8311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPC100N04S51R7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPC100N04S51R7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPC100N04S51R7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPC100N04S51R7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |