
IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 34.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPC100N04S51R9ATMA1 за ціною від 31.97 грн до 106.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 186780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 130521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPC100N04S51R9ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |