IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPC100N04S5-1R9-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d57e72dd6073
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

Інші пропозиції IPC100N04S51R9ATMA1 за ціною від 34.74 грн до 131.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.84 грн
25+50.06 грн
100+47.51 грн
250+43.29 грн
500+40.89 грн
1000+40.22 грн
3000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+76.15 грн
513+68.55 грн
1000+63.21 грн
10000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+76.15 грн
513+68.55 грн
1000+63.21 грн
10000+54.35 грн
100000+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 130521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+76.15 грн
513+68.55 грн
1000+63.21 грн
10000+54.35 грн
100000+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+85.57 грн
178+79.19 грн
180+78.33 грн
200+67.84 грн
250+62.19 грн
500+57.62 грн
1000+56.26 грн
3000+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.40 грн
173+81.48 грн
199+70.84 грн
208+65.14 грн
500+60.11 грн
1000+52.98 грн
2000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5-1R9-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d57e72dd6073 Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.62 грн
10+80.42 грн
100+54.14 грн
500+40.23 грн
1000+36.83 грн
2000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON 2354650.pdf Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5_1R9_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON 2354650.pdf Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+50.84 грн
25+50.06 грн
100+47.51 грн
250+43.29 грн
500+40.89 грн
1000+40.22 грн
3000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
462+76.15 грн
513+68.55 грн
1000+63.21 грн
10000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
462+76.15 грн
513+68.55 грн
1000+63.21 грн
10000+54.35 грн
100000+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 130521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
462+76.15 грн
513+68.55 грн
1000+63.21 грн
10000+54.35 грн
100000+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
165+85.57 грн
178+79.19 грн
180+78.33 грн
200+67.84 грн
250+62.19 грн
500+57.62 грн
1000+56.26 грн
3000+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 90536535858312infineon-ipc100n04s5-1r9-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed7601.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+86.40 грн
173+81.48 грн
199+70.84 грн
208+65.14 грн
500+60.11 грн
1000+52.98 грн
2000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R9-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d57e72dd6073
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.62 грн
10+80.42 грн
100+54.14 грн
500+40.23 грн
1000+36.83 грн
2000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 2354650.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon_IPC100N04S5_1R9_DS_v01_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R9ATMA1 2354650.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.