Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPC100N04S52R8ATMA1
IPC100N04S52R8ATMA1

IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies

5119229184915395infineon-ipc100n04s5-2r8-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc101.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 87275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
597+51.27 грн
1000+47.28 грн
10000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 597
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPC100N04S52R8ATMA1 за ціною від 27.21 грн до 99.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5119229184915395infineon-ipc100n04s5-2r8-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc101.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
597+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 597
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5119229184915395infineon-ipc100n04s5-2r8-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc101.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
597+51.27 грн
1000+47.28 грн
10000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 597
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5119229184915395infineon-ipc100n04s5-2r8-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc101.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
597+51.27 грн
1000+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 597
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPC100N04S5-2R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801b9b92904 Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.45 грн
500+38.44 грн
1000+30.69 грн
5000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5-2R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801b9b92904 Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.87 грн
10+63.36 грн
100+49.25 грн
500+36.43 грн
1000+33.07 грн
2000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5_2R8_DS_v01_00_EN-1731771.pdf MOSFETs MOSFET_(20V,40V)
на замовлення 18629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.60 грн
10+70.20 грн
25+56.14 грн
100+46.71 грн
250+45.58 грн
500+37.88 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPC100N04S5-2R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801b9b92904 Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.89 грн
12+72.46 грн
100+55.45 грн
500+38.44 грн
1000+30.69 грн
5000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5119229184915395infineon-ipc100n04s5-2r8-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc101.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5119229184915395infineon-ipc100n04s5-2r8-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc101.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5-2R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801b9b92904 Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.