IPC100N04S52R8ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 49.07 грн |
| 500+ | 34.86 грн |
| 1000+ | 26.89 грн |
| 5000+ | 26.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC100N04S52R8ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPC100N04S52R8ATMA1 за ціною від 26.39 грн до 92.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 87275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 16962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V,40V) |
на замовлення 18629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |