Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPC100N04S5L1R5ATMA1
IPC100N04S5L1R5ATMA1

IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPC100N04S5L-1R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d5753a01605e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPC100N04S5L1R5ATMA1 за ціною від 48.87 грн до 179.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+95.50 грн
500+85.95 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+95.50 грн
500+85.95 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+95.50 грн
500+85.95 грн
1000+79.26 грн
10000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5L-1R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d5753a01605e Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.86 грн
10+106.36 грн
50+80.56 грн
100+67.78 грн
500+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.49 грн
10+123.87 грн
100+87.96 грн
500+69.01 грн
1000+59.90 грн
2000+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.79 грн
114+124.08 грн
161+88.11 грн
500+69.13 грн
1000+60.01 грн
2000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 INFINEON 2718770.pdf Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 INFINEON 2718770.pdf Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Infineon-IPC100N04S5L-1R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d5753a01605e
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
371+95.50 грн
500+85.95 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
371+95.50 грн
500+85.95 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
371+95.50 грн
500+85.95 грн
1000+79.26 грн
10000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon-IPC100N04S5L-1R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d5753a01605e
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.86 грн
10+106.36 грн
50+80.56 грн
100+67.78 грн
500+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+179.49 грн
10+123.87 грн
100+87.96 грн
500+69.01 грн
1000+59.90 грн
2000+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+179.79 грн
114+124.08 грн
161+88.11 грн
500+69.13 грн
1000+60.01 грн
2000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 2718770.pdf
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 2718770.pdf
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon-IPC100N04S5L-1R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d5753a01605e
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.