Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPC100N04S5L1R9ATMA1
IPC100N04S5L1R9ATMA1

IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+35.70 грн
10000+32.26 грн
15000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPC100N04S5L1R9ATMA1 за ціною від 30.59 грн до 143.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.62 грн
500+40.39 грн
1000+33.55 грн
5000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.18 грн
10+83.92 грн
100+56.50 грн
500+42.01 грн
1000+38.47 грн
2000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5L_1R9_DS_v01_03_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 34132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.90 грн
10+87.54 грн
100+52.23 грн
500+41.80 грн
1000+36.23 грн
2500+35.95 грн
5000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 INFINEON 2718771.pdf Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 30101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.90 грн
10+88.81 грн
100+60.93 грн
500+41.69 грн
1000+33.34 грн
5000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+59.62 грн
500+40.39 грн
1000+33.55 грн
5000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.18 грн
10+83.92 грн
100+56.50 грн
500+42.01 грн
1000+38.47 грн
2000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon_IPC100N04S5L_1R9_DS_v01_03_EN.pdf
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 34132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.90 грн
10+87.54 грн
100+52.23 грн
500+41.80 грн
1000+36.23 грн
2500+35.95 грн
5000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 2718771.pdf
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 30101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+143.90 грн
10+88.81 грн
100+60.93 грн
500+41.69 грн
1000+33.34 грн
5000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.