IPC26N12NX1SA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 92+ | 387.77 грн |
| 100+ | 368.91 грн |
| 500+ | 348.87 грн |
| 1000+ | 318.23 грн |
| 10000+ | 276.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC26N12NX1SA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 244µA, Supplier Device Package: Sawn on foil, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V.
Інші пропозиції IPC26N12NX1SA1 за ціною від 276.77 грн до 387.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPC26N12NX1SA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 120V 3-Pin Chip Wafer |
на замовлення 62760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPC26N12NX1SA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 3-Pin Chip Wafer
Trans MOSFET N-CH 120V 3-Pin Chip Wafer
на замовлення 62760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 92+ | 387.77 грн |
| 100+ | 368.91 грн |
| 500+ | 348.87 грн |
| 1000+ | 318.23 грн |
| 10000+ | 276.77 грн |