Технічний опис IPC313N10N3RX1SA2 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2A, Case: DPAK3, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPC313N10N3RX1SA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPC313N10N3RX1SA2 | Infineon Technologies |
 MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4250 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPC313N10N3RX1SA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Case: DPAK3 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPC313N10N3RX1SA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC313N10N3RX1SA2 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.