Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1

IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies

26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+25.27 грн
45+15.88 грн
46+15.64 грн
47+14.85 грн
50+13.54 грн
100+12.80 грн
250+12.59 грн
500+12.39 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPC50N04S55R8ATMA1 за ціною від 19.18 грн до 91.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
425+29.27 грн
427+29.18 грн
500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 425
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
890+34.95 грн
1000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 318132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
890+34.95 грн
1000+32.23 грн
10000+28.74 грн
100000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
890+34.95 грн
1000+32.23 грн
10000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 17801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+35.05 грн
12+32.41 грн
100+23.91 грн
500+22.67 грн
2500+22.59 грн
5000+19.64 грн
10000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : INFINEON 2718772.pdf Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.72 грн
500+32.35 грн
1000+25.45 грн
5000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : INFINEON 2718772.pdf Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.51 грн
15+61.22 грн
100+41.72 грн
500+32.35 грн
1000+25.45 грн
5000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040 Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.54 грн
10+55.23 грн
100+36.44 грн
500+26.61 грн
1000+24.17 грн
2000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040 Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.