Продукція > INFINEON > IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1

IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON

Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+77.72 грн
15+55.09 грн
100+40.19 грн
500+29.02 грн
1000+22.37 грн
5000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPC50N04S55R8ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040 Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040 Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040
IPC50N04S55R8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040
IPC50N04S55R8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf
IPC50N04S55R8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.