IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.83 грн |
| 45+ | 16.86 грн |
| 46+ | 16.60 грн |
| 47+ | 15.77 грн |
| 50+ | 14.37 грн |
| 100+ | 13.59 грн |
| 250+ | 13.37 грн |
| 500+ | 13.15 грн |
| 1000+ | 12.93 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
29 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.
Інші пропозиції IPC50N04S55R8ATMA1 за ціною від 26.40 грн до 95.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPC50N04S55R8ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPC50N04S55R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPC50N04S55R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 318132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPC50N04S55R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 26694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPC50N04S55R8ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPC50N04S55R8ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm |
на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPC50N04S55R8ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm |
на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPC50N04S55R8ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 425+ | 33.28 грн |
| 427+ | 33.19 грн |
| 500+ | 32.91 грн |
| IPC50N04S55R8ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 890+ | 39.74 грн |
| 1000+ | 36.66 грн |
| IPC50N04S55R8ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 318132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 890+ | 39.74 грн |
| 1000+ | 36.66 грн |
| 10000+ | 32.68 грн |
| 100000+ | 26.40 грн |
| IPC50N04S55R8ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 890+ | 39.74 грн |
| 1000+ | 36.66 грн |
| 10000+ | 32.68 грн |
| IPC50N04S55R8ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.63 грн |
| 10+ | 57.97 грн |
| 50+ | 43.07 грн |
| 100+ | 35.88 грн |
| 500+ | 27.92 грн |
| IPC50N04S55R8ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPC50N04S55R8ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)