IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies


26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+26.83 грн
45+16.86 грн
46+16.60 грн
47+15.77 грн
50+14.37 грн
100+13.59 грн
250+13.37 грн
500+13.15 грн
1000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPC50N04S55R8ATMA1 за ціною від 26.40 грн до 39.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+33.28 грн
427+33.19 грн
500+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
890+39.74 грн
1000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 890 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 318132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
890+39.74 грн
1000+36.66 грн
10000+32.68 грн
100000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 890 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
890+39.74 грн
1000+36.66 грн
10000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 890 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040 Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON 2718772.pdf Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
425+33.28 грн
427+33.19 грн
500+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
890+39.74 грн
1000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 890 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 318132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
890+39.74 грн
1000+36.66 грн
10000+32.68 грн
100000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 890 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
890+39.74 грн
1000+36.66 грн
10000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 890 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 2718772.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.