Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1

IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies

26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+25.81 грн
45+16.22 грн
46+15.98 грн
47+15.17 грн
50+13.83 грн
100+13.07 грн
250+12.86 грн
500+12.65 грн
1000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPC50N04S55R8ATMA1 за ціною від 19.58 грн до 93.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
425+29.89 грн
427+29.80 грн
500+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 425
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
890+35.69 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 318132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
890+35.69 грн
1000+32.92 грн
10000+29.35 грн
100000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
890+35.69 грн
1000+32.92 грн
10000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 17801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+35.80 грн
12+33.10 грн
100+24.42 грн
500+23.15 грн
2500+23.07 грн
5000+20.06 грн
10000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : INFINEON 2718772.pdf Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.60 грн
500+33.04 грн
1000+26.00 грн
5000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : INFINEON 2718772.pdf Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.25 грн
15+62.53 грн
100+42.60 грн
500+33.04 грн
1000+26.00 грн
5000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040 Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.48 грн
10+56.41 грн
100+37.21 грн
500+27.18 грн
1000+24.68 грн
2000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 26infineon-ipc50n04s5-5r8-ds-v01_02-en.pdffileid5546d4625696ed76015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040 Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.