Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPC50N04S5L5R5ATMA1
IPC50N04S5L5R5ATMA1

IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1209 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.

Інші пропозиції IPC50N04S5L5R5ATMA1 за ціною від 21.00 грн до 107.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 INFINEON Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.00 грн
250+43.83 грн
1000+29.09 грн
3000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1209 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.39 грн
10+54.90 грн
100+36.33 грн
500+26.59 грн
1000+24.17 грн
2000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 INFINEON Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.14 грн
50+56.00 грн
250+43.83 грн
1000+29.09 грн
3000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC50N04S5L_5R5_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 15535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.72 грн
10+56.41 грн
100+35.73 грн
500+29.60 грн
1000+24.95 грн
2500+23.61 грн
5000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+56.00 грн
250+43.83 грн
1000+29.09 грн
3000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1209 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+90.39 грн
10+54.90 грн
100+36.33 грн
500+26.59 грн
1000+24.17 грн
2000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+101.14 грн
50+56.00 грн
250+43.83 грн
1000+29.09 грн
3000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon_IPC50N04S5L_5R5_DS_v01_02_EN.pdf
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 15535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+107.72 грн
10+56.41 грн
100+35.73 грн
500+29.60 грн
1000+24.95 грн
2500+23.61 грн
5000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.