IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 24.62 грн |
| 10000+ | 22.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPC70N04S54R6ATMA1 за ціною від 22.07 грн до 101.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPC70N04S54R6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPC70N04S54R6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPC70N04S54R6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V,40V) |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPC70N04S54R6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPC70N04S54R6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |