IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 39.95 грн |
| 500+ | 26.70 грн |
| 1000+ | 20.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPC70N04S54R6ATMA1 за ціною від 20.99 грн до 111.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPC70N04S54R6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPC70N04S54R6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPC70N04S54R6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V,40V) |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPC70N04S54R6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.64 грн |
| 10+ | 55.27 грн |
| 100+ | 36.56 грн |
| 500+ | 26.80 грн |
| 1000+ | 24.22 грн |
| 2000+ | 22.83 грн |
| IPC70N04S54R6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 95.84 грн |
| 14+ | 60.32 грн |
| 100+ | 39.95 грн |
| 500+ | 26.70 грн |
| 1000+ | 20.99 грн |
| IPC70N04S54R6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V,40V)
MOSFETs MOSFET_(20V,40V)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.14 грн |
| 10+ | 68.99 грн |
| 100+ | 39.21 грн |
| 500+ | 31.69 грн |
| 1000+ | 27.06 грн |
| 2500+ | 25.34 грн |
| 5000+ | 21.33 грн |




