IPC90N04S53R6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC90N04S53R6ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPC90N04S53R6ATMA1 за ціною від 23.68 грн до 107.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPC90N04S53R6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPC90N04S53R6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V,40V) |
на замовлення 3508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPC90N04S53R6ATMA1 | Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPC90N04S53R6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.46 грн |
| 10+ | 64.29 грн |
| 100+ | 42.74 грн |
| 500+ | 31.42 грн |
| 1000+ | 28.62 грн |
| 2000+ | 26.27 грн |
| IPC90N04S53R6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V,40V)
MOSFETs MOSFET_(20V,40V)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.72 грн |
| 10+ | 66.47 грн |
| 100+ | 38.48 грн |
| 500+ | 30.17 грн |
| 1000+ | 26.08 грн |
| 2500+ | 25.80 грн |
| 5000+ | 23.68 грн |
| IPC90N04S53R6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)