Продукція > INFINEON > IPD020N03LF2SATMA1
IPD020N03LF2SATMA1

IPD020N03LF2SATMA1 INFINEON

4421043.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 0.00205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.16 грн
10+91.85 грн
100+71.89 грн
500+56.58 грн
1000+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD020N03LF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 0.00205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD020N03LF2SATMA1 за ціною від 31.88 грн до 146.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD020N03LF2SATMA1 IPD020N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a Description: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.15 грн
10+80.28 грн
100+53.91 грн
500+39.98 грн
1000+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1 IPD020N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.95 грн
10+91.44 грн
100+53.38 грн
500+43.69 грн
1000+39.60 грн
2000+33.62 грн
4000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 143A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 143A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1 IPD020N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a Description: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.