IPD025N06N Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 210.75 грн |
| 73+ | 202.72 грн |
| 100+ | 195.85 грн |
| 250+ | 183.12 грн |
| 500+ | 164.94 грн |
| 1000+ | 154.47 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
70 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD025N06N Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; 167W; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 90A, Power dissipation: 167W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 360A, Application: automotive industry.
Інші пропозиції IPD025N06N за ціною від 74.41 грн до 261.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD025N06N | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 |
на замовлення 12616 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPD025N06N | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; 167W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 167W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 360A Application: automotive industry |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPD025N06N |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2
MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2
на замовлення 12616 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 261.57 грн |
| 10+ | 167.85 грн |
| 100+ | 102.32 грн |
| 500+ | 85.77 грн |
| 1000+ | 79.75 грн |
| 2500+ | 74.41 грн |
| IPD025N06N |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Application: automotive industry
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 117.95 грн |
| 50+ | 102.73 грн |
| 100+ | 98.49 грн |
| 300+ | 94.24 грн |
| 500+ | 84.90 грн |