IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 57.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD025N06NATMA1 за ціною від 64.67 грн до 222.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD025N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD025N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD025N06NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 167W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ |
на замовлення 1603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD025N06NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 167W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD025N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD025N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 |
на замовлення 7509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD025N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V |
на замовлення 7988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD025N06NATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD025N06NATMA1 Код товару: 169019
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IPD025N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD025N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD025N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |