Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD025N06NATMA1

IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies

Name: IPD025N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1349407-7
Price: 149425.00 UAH
Availability: InStock

510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	59.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD025N06NATMA1 за ціною від 63.37 грн до 229.87 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPD025N06NATMA1

Виробник : Infineon Technologies

IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	68.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	74.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	80.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	113.14 грн
500+	91.72 грн
1000+	80.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 67500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
237+	134.11 грн
500+	120.38 грн
1000+	110.87 грн
10000+	95.70 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™

на замовлення 1593 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	176.89 грн
5+	135.07 грн
50+	118.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
68+	188.38 грн
97+	131.78 грн
100+	129.25 грн
500+	95.31 грн
1000+	70.52 грн
2000+	63.37 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 1593 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	212.27 грн
5+	168.32 грн
50+	142.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 7509 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	213.85 грн
10+	132.55 грн
100+	90.45 грн
500+	79.16 грн
1000+	75.00 грн
2500+	66.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 7363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	223.39 грн
10+	139.41 грн
100+	96.43 грн
500+	75.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	229.87 грн
50+	143.67 грн
100+	113.14 грн
500+	91.72 грн
1000+	80.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1
Код товару: 169019

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.