Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD025N06NATMA1
IPD025N06NATMA1

IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies

510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD025N06NATMA1 за ціною від 62.86 грн до 199.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+129.44 грн
500+116.19 грн
1000+107.02 грн
10000+92.37 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.53 грн
5+115.55 грн
50+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 8113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.21 грн
10+121.92 грн
100+92.67 грн
500+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.83 грн
5+143.99 грн
50+133.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+194.06 грн
89+137.80 грн
111+110.89 грн
500+103.00 грн
1000+74.98 грн
2000+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD025N06N_DS_v02_05_EN-1731698.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.44 грн
10+134.51 грн
100+89.80 грн
500+74.63 грн
1000+68.82 грн
2500+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.78 грн
50+135.44 грн
100+112.59 грн
500+85.68 грн
1000+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1
Код товару: 169019
Додати до обраних Обраний товар

IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.