IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 49.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 139A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD028N06NF2SATMA1 за ціною від 43.86 грн до 180.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V |
на замовлення 3182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005588978 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 139A; 150W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 139A Power dissipation: 150W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 2.85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Technology: SiC |
товару немає в наявності |