Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD028N06NF2SATMA1
IPD028N06NF2SATMA1

IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd028n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 139A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD028N06NF2SATMA1 за ціною від 42.97 грн до 169.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd028n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd028n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+56.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : INFINEON 3920489.pdf Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.02 грн
500+59.71 грн
1000+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd028n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+83.46 грн
154+81.13 грн
175+71.14 грн
250+64.70 грн
500+55.72 грн
1000+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd028n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+101.16 грн
10+89.42 грн
25+86.93 грн
100+73.49 грн
250+64.19 грн
500+57.31 грн
1000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a84489a82df3 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.34 грн
10+101.59 грн
100+69.12 грн
500+51.84 грн
1000+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : INFINEON 3920489.pdf Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+166.13 грн
10+109.32 грн
100+79.02 грн
500+59.71 грн
1000+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.19 грн
10+111.18 грн
100+64.84 грн
500+52.79 грн
1000+50.26 грн
2000+43.12 грн
4000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd028n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf SP005588978
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a84489a82df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 139A; 150W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 139A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd028n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a84489a82df3 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.