IPD029N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.43 грн |
| 10+ | 59.30 грн |
| 100+ | 45.18 грн |
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Технічний опис IPD029N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD029N04NF2SATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPD029N04NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPD029N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 2046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPD029N04NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD029N04NF2SATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD029N04NF2SATMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD029N04NF2SATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)