Продукція > INFINEON > IPD029N04NF2SATMA1
IPD029N04NF2SATMA1

IPD029N04NF2SATMA1 INFINEON

Infineon-IPD029N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7dfd4282d82
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD029N04NF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD029N04NF2SATMA1 за ціною від 26.57 грн до 130.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD029N04NF2SATMA1 IPD029N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD029N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7dfd4282d82 Description: TRENCH <= 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.71 грн
10+61.08 грн
100+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1 IPD029N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD029N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083345.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.52 грн
10+64.11 грн
100+43.35 грн
500+36.79 грн
1000+31.36 грн
2000+26.64 грн
10000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1 IPD029N04NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD029N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7dfd4282d82 Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.75 грн
10+83.05 грн
100+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1 Infineon-IPD029N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7dfd4282d82
IPD029N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.71 грн
10+61.08 грн
100+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1 Infineon_IPD029N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083345.pdf
IPD029N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+79.52 грн
10+64.11 грн
100+43.35 грн
500+36.79 грн
1000+31.36 грн
2000+26.64 грн
10000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1 Infineon-IPD029N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7dfd4282d82
IPD029N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+130.75 грн
10+83.05 грн
100+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.