Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD030N03LF2SATMA1
IPD030N03LF2SATMA1

IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

datasheet?p=RFNL20TJ6SFHG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.31 грн
10+58.13 грн
100+38.58 грн
500+28.33 грн
1000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 3050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm.

Інші пропозиції IPD030N03LF2SATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD030N03LF2SATMA1 IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD030N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 IPD030N03LF2SATMA1 INFINEON 4421045.pdf Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 3050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 IPD030N03LF2SATMA1 INFINEON 4421045.pdf Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 3050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 Infineon-IPD030N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IPD030N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 4421045.pdf
IPD030N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 3050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 4421045.pdf
IPD030N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 3050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.