IPD031N03LGATMA1

IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies


5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 94W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD031N03LGATMA1 за ціною від 32.57 грн до 95.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IP(D,S)031N03L_ G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.62 грн
5000+ 42.28 грн
10000+ 40.94 грн
12500+ 39.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
257+45.44 грн
258+ 45.19 грн
274+ 42.59 грн
277+ 40.66 грн
500+ 36.96 грн
1000+ 35.08 грн
Мінімальне замовлення: 257
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+45.59 грн
14+ 42.19 грн
25+ 41.96 грн
100+ 38.13 грн
250+ 34.95 грн
500+ 32.95 грн
1000+ 32.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 215000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.97 грн
5000+ 45.53 грн
10000+ 44.09 грн
12500+ 42.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.87 грн
19+ 42.46 грн
52+ 40.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IP(D,S)031N03L_ G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.72 грн
10+ 47.03 грн
100+ 41.24 грн
500+ 36.34 грн
1000+ 35.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD031N03L_DS_v02_01_en-1226985.pdf MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.48 грн
10+ 51.69 грн
100+ 39.76 грн
500+ 38.18 грн
1000+ 37.59 грн
2500+ 37.2 грн
5000+ 36.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : INFINEON IP(D,S)031N03L_ G.pdf Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+76.67 грн
13+ 59.42 грн
100+ 47.85 грн
500+ 42.1 грн
1000+ 38.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.04 грн
5+ 73.37 грн
19+ 50.95 грн
52+ 48.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
122+95.59 грн
134+ 87.09 грн
165+ 70.86 грн
200+ 63.93 грн
1000+ 52.4 грн
2000+ 47 грн
5000+ 45.72 грн
10000+ 43.94 грн
Мінімальне замовлення: 122
IPD031N03LGATMA1
Код товару: 149574
IP(D,S)031N03L_ G.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній