Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD031N03LGATMA1

IPD031N03LGATMA1

IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
Код товару: 149574
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD031N03LGATMA1 за ціною від 31.80 грн до 142.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.19 грн
20+38.98 грн
25+38.59 грн
100+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 79A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.11 грн
10+42.05 грн
11+39.47 грн
25+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+87.20 грн
100+58.82 грн
500+43.79 грн
1000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD031N03L-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
IPD031N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD031N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.19 грн
20+38.98 грн
25+38.59 грн
100+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LG-DTE.pdf
IPD031N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 79A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.11 грн
10+42.05 грн
11+39.47 грн
25+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
IPD031N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.12 грн
10+87.20 грн
100+58.82 грн
500+43.79 грн
1000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 Infineon-IPD031N03L-DS-v02_01-en.pdf
IPD031N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
IPD031N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD031N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.