Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD031N03LGATMA1
IPD031N03LGATMA1

IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies

IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD031N03LGATMA1 за ціною від 26.70 грн до 64.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+41.54 грн
20+36.64 грн
25+36.28 грн
100+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD031N03L-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.85 грн
10+43.33 грн
100+32.07 грн
500+31.38 грн
2500+27.55 грн
5000+26.93 грн
10000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.46 грн
10+38.60 грн
100+32.83 грн
500+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.39 грн
9+49.87 грн
25+44.28 грн
100+39.40 грн
500+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.15 грн
25+53.14 грн
100+47.29 грн
500+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : INFINEON IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.81 грн
17+51.73 грн
100+44.50 грн
500+38.60 грн
1000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1
Код товару: 149574
Додати до обраних Обраний товар

IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.