Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD031N06L3GATMA1
IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies

IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+72.87 грн
5000+66.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD031N06L3GATMA1 за ціною від 73.30 грн до 273.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.43 грн
500+82.46 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.72 грн
10+131.35 грн
25+130.04 грн
100+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.72 грн
108+131.35 грн
109+130.04 грн
153+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
500+147.33 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.25 грн
5+135.74 грн
10+123.02 грн
50+102.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.46 грн
50+147.19 грн
100+104.43 грн
500+82.46 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 53836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.50 грн
10+147.21 грн
100+102.26 грн
500+77.92 грн
1000+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD031N06L3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.78 грн
10+170.22 грн
100+107.13 грн
500+89.51 грн
1000+83.87 грн
2500+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.05 грн
76+188.52 грн
103+138.54 грн
500+111.91 грн
1000+102.58 грн
2500+94.83 грн
5000+84.29 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+104.43 грн
500+82.46 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 ipd031n06l3_rev2.0.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+157.72 грн
10+131.35 грн
25+130.04 грн
100+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 ipd031n06l3_rev2.0.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
90+157.72 грн
108+131.35 грн
109+130.04 грн
153+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 ipd031n06l3_rev2.0.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
216+163.83 грн
500+147.33 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3G-DTE.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+177.25 грн
5+135.74 грн
10+123.02 грн
50+102.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+201.46 грн
50+147.19 грн
100+104.43 грн
500+82.46 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 53836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+235.50 грн
10+147.21 грн
100+102.26 грн
500+77.92 грн
1000+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 Infineon_IPD031N06L3_DS_v02_00_en.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+264.78 грн
10+170.22 грн
100+107.13 грн
500+89.51 грн
1000+83.87 грн
2500+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 ipd031n06l3_rev2.0.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
52+273.05 грн
76+188.52 грн
103+138.54 грн
500+111.91 грн
1000+102.58 грн
2500+94.83 грн
5000+84.29 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.