Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD031N06L3GATMA1
IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies

IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD031N06L3GATMA1 за ціною від 73.89 грн до 216.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+95.00 грн
139+93.54 грн
141+92.07 грн
143+87.37 грн
250+79.59 грн
500+75.15 грн
1000+73.89 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+101.79 грн
10+100.22 грн
25+98.65 грн
100+93.61 грн
250+85.27 грн
500+80.51 грн
1000+79.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+108.26 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.09 грн
500+88.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+134.15 грн
101+128.15 грн
250+123.01 грн
500+114.34 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+134.62 грн
50+105.94 грн
100+97.18 грн
500+87.28 грн
1000+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD031N06L3_DS_v02_00_en-1731631.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.19 грн
10+135.83 грн
100+96.95 грн
250+94.90 грн
500+82.61 грн
1000+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 59230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.61 грн
10+135.50 грн
100+94.08 грн
500+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 562 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.17 грн
9+132.15 грн
25+125.25 грн
500+124.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 MOSFET N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.