Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD031N06L3GATMA1
IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies

ipd031n06l3_rev2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD031N06L3GATMA1 за ціною від 69.19 грн до 207.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+88.96 грн
139+87.58 грн
141+86.21 грн
143+81.81 грн
250+74.52 грн
500+70.36 грн
1000+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.31 грн
10+93.84 грн
25+92.37 грн
100+87.65 грн
250+79.85 грн
500+75.39 грн
1000+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+101.37 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+124.69 грн
500+93.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+125.62 грн
101+120.00 грн
250+115.18 грн
500+107.06 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.35 грн
50+112.82 грн
100+103.48 грн
500+92.94 грн
1000+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAAC938B42011C&compId=IPD031N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=956ec9d4fd9e72f0920c828b3865ef21092a25df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.83 грн
5+127.60 грн
9+104.76 грн
25+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 63067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.13 грн
10+123.03 грн
100+103.75 грн
500+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAAC938B42011C&compId=IPD031N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=956ec9d4fd9e72f0920c828b3865ef21092a25df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.20 грн
5+159.01 грн
9+125.71 грн
25+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD031N06L3_DS_v02_00_en-1731631.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.31 грн
10+150.43 грн
100+107.37 грн
250+105.10 грн
500+91.49 грн
1000+85.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 MOSFET N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.