IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 72.99 грн |
| 5000+ | 66.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD031N06L3GATMA1 за ціною від 73.72 грн до 235.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 4795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
на замовлення 53878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |