Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD031N06L3GATMA1
IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies

ipd031n06l3_rev2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD031N06L3GATMA1 за ціною від 63.55 грн до 190.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+84.8 грн
5000+ 78.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+118.18 грн
500+ 99.39 грн
1000+ 78.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+118.89 грн
10+ 107.63 грн
25+ 106.02 грн
100+ 93.54 грн
250+ 84.64 грн
500+ 74.57 грн
1000+ 63.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
91+128.04 грн
101+ 115.91 грн
102+ 114.18 грн
112+ 100.73 грн
250+ 91.15 грн
500+ 80.3 грн
1000+ 68.44 грн
Мінімальне замовлення: 91
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.3 грн
5+ 110.43 грн
9+ 90.41 грн
25+ 85.58 грн
500+ 82.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.76 грн
5+ 137.61 грн
9+ 108.5 грн
25+ 102.7 грн
500+ 98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+160.55 грн
50+ 139.74 грн
100+ 118.18 грн
500+ 99.39 грн
1000+ 78.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+180.97 грн
77+ 151.94 грн
100+ 143.23 грн
200+ 137.18 грн
500+ 115.78 грн
1000+ 104.52 грн
2000+ 102.03 грн
2500+ 101.2 грн
5000+ 98.71 грн
Мінімальне замовлення: 65
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 70631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.78 грн
10+ 150.46 грн
100+ 119.73 грн
500+ 95.07 грн
1000+ 80.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD031N06L3_DS_v02_00_en-1731631.pdf MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.93 грн
10+ 150.11 грн
100+ 111.31 грн
250+ 108.66 грн
500+ 94.09 грн
1000+ 78.18 грн
2500+ 76.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній