Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD031N06L3GATMA1
IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies

IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.80 грн
7500+57.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

Інші пропозиції IPD031N06L3GATMA1 за ціною від 69.70 грн до 274.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.77 грн
10+132.22 грн
25+130.90 грн
100+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+158.77 грн
108+132.22 грн
109+130.90 грн
153+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.92 грн
500+148.31 грн
1000+136.45 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 57314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.66 грн
10+133.55 грн
50+102.13 грн
100+86.36 грн
500+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+214.19 грн
5+156.80 грн
10+137.82 грн
50+103.99 грн
100+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd031n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+274.88 грн
76+189.78 грн
103+139.47 грн
500+112.66 грн
1000+103.27 грн
2500+95.47 грн
5000+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 ipd031n06l3_rev2.0.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+158.77 грн
10+132.22 грн
25+130.90 грн
100+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 ipd031n06l3_rev2.0.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+158.77 грн
108+132.22 грн
109+130.90 грн
153+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 ipd031n06l3_rev2.0.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+164.92 грн
500+148.31 грн
1000+136.45 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 57314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+213.66 грн
10+133.55 грн
50+102.13 грн
100+86.36 грн
500+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3G-DTE.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+214.19 грн
5+156.80 грн
10+137.82 грн
50+103.99 грн
100+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 ipd031n06l3_rev2.0.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+274.88 грн
76+189.78 грн
103+139.47 грн
500+112.66 грн
1000+103.27 грн
2500+95.47 грн
5000+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.