IPD034N06N3G Infineon Technologies


ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+152.24 грн
101+145.42 грн
250+139.59 грн
500+129.75 грн
1000+116.22 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 97 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD034N06N3G Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 100A, Power dissipation: 167W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.4mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 400A.

Інші пропозиції IPD034N06N3G за ціною від 58.01 грн до 213.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD034N06N3 G IPD034N06N3 G Infineon Technologies Infineon_IPD034N06N3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+213.29 грн
10+103.83 грн
100+78.25 грн
500+65.38 грн
1000+61.39 грн
2500+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+151.78 грн
50+98.49 грн
100+92.54 грн
300+88.30 грн
500+78.96 грн
1000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3 G Infineon_IPD034N06N3_DS_v02_00_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+213.29 грн
10+103.83 грн
100+78.25 грн
500+65.38 грн
1000+61.39 грн
2500+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+151.78 грн
50+98.49 грн
100+92.54 грн
300+88.30 грн
500+78.96 грн
1000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.