IPD034N06N3G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 152.24 грн |
| 101+ | 145.42 грн |
| 250+ | 139.59 грн |
| 500+ | 129.75 грн |
| 1000+ | 116.22 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
97 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD034N06N3G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 100A, Power dissipation: 167W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.4mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 400A.
Інші пропозиції IPD034N06N3G за ціною від 58.01 грн до 213.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD034N06N3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 4229 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPD034N06N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 167W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPD034N06N3 G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.29 грн |
| 10+ | 103.83 грн |
| 100+ | 78.25 грн |
| 500+ | 65.38 грн |
| 1000+ | 61.39 грн |
| 2500+ | 58.01 грн |
| IPD034N06N3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 151.78 грн |
| 50+ | 98.49 грн |
| 100+ | 92.54 грн |
| 300+ | 88.30 грн |
| 500+ | 78.96 грн |
| 1000+ | 78.11 грн |




