Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD034N06N3GATMA1
IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies

fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.62 грн
5000+52.02 грн
7500+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.

Інші пропозиції IPD034N06N3GATMA1 за ціною від 58.31 грн до 193.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.18 грн
500+88.36 грн
1000+81.49 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.18 грн
500+88.36 грн
1000+81.49 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD034N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
на замовлення 564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.61 грн
5+115.50 грн
10+102.21 грн
50+76.45 грн
100+75.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 29537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.38 грн
10+120.11 грн
100+82.39 грн
500+62.19 грн
1000+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON 1849756.html Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON 1849756.html Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
361+98.18 грн
500+88.36 грн
1000+81.49 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
361+98.18 грн
500+88.36 грн
1000+81.49 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3G-DTE.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
на замовлення 564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.61 грн
5+115.50 грн
10+102.21 грн
50+76.45 грн
100+75.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 29537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.38 грн
10+120.11 грн
100+82.39 грн
500+62.19 грн
1000+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 1849756.html
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 1849756.html
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.