Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD034N06N3GATMA1
IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies

ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD034N06N3GATMA1 за ціною від 43.39 грн до 202.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.40 грн
5000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.05 грн
5000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.95 грн
5000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : INFINEON 1849756.html Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.57 грн
500+56.84 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : INFINEON 1849756.html Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.62 грн
50+105.01 грн
100+74.57 грн
500+56.84 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD034N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.51 грн
10+101.29 грн
12+74.83 грн
33+71.05 грн
500+68.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 14072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.97 грн
10+110.89 грн
100+75.75 грн
500+56.99 грн
1000+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD034N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.21 грн
10+126.22 грн
12+89.80 грн
33+85.27 грн
500+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD034N06N3_DS_v02_00_en-3359998.pdf MOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.