Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD036N04LGATMA1
IPD036N04LGATMA1

IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.40 грн
5000+34.37 грн
7500+33.05 грн
12500+29.62 грн
17500+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

Інші пропозиції IPD036N04LGATMA1 за ціною від 38.66 грн до 152.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.06 грн
5000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.06 грн
5000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
на замовлення 37903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.09 грн
10+85.39 грн
100+57.19 грн
500+42.31 грн
1000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.90 грн
10+98.38 грн
100+74.68 грн
500+58.16 грн
1000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+152.90 грн
143+98.38 грн
189+74.68 грн
500+58.16 грн
1000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD036N04L_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 INFINEON INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 INFINEON INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 ipd036n04l_rev1.0.pdf
IPD036N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.06 грн
5000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 ipd036n04l_rev1.0.pdf
IPD036N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.06 грн
5000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 ipd036n04l_rev1.0.pdf
IPD036N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 ipd036n04l_rev1.0.pdf
IPD036N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5
IPD036N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
на замовлення 37903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.09 грн
10+85.39 грн
100+57.19 грн
500+42.31 грн
1000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 ipd036n04l_rev1.0.pdf
IPD036N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+152.90 грн
10+98.38 грн
100+74.68 грн
500+58.16 грн
1000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 ipd036n04l_rev1.0.pdf
IPD036N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
92+152.90 грн
143+98.38 грн
189+74.68 грн
500+58.16 грн
1000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 Infineon_IPD036N04L_DS_v01_00_en.pdf
IPD036N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD036N04LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD036N04LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.