IPD038N06NF2SATMA1

IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd038n06nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R.

Інші пропозиції IPD038N06NF2SATMA1 за ціною від 25.69 грн до 113.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD038N06NF2SATMA1 IPD038N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD038N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183ad6c7fb66010 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06NF2SATMA1 IPD038N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD038N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183ad6c7fb66010 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.44 грн
10+61.24 грн
100+42.51 грн
500+31.85 грн
1000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06NF2SATMA1 IPD038N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD038N06NF2S_DataSheet_v02_01_EN-3083458.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 11829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.02 грн
10+71.40 грн
100+41.98 грн
500+33.61 грн
1000+30.02 грн
2000+28.04 грн
4000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.