IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH 40.
Інші пропозиції IPD038N06NF2SATMA1 за ціною від 21.88 грн до 107.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD038N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 3702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD038N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V |
на замовлення 3814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPD038N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 103.90 грн |
| 10+ | 64.94 грн |
| 100+ | 37.55 грн |
| 500+ | 29.48 грн |
| 1000+ | 26.92 грн |
| 2000+ | 23.89 грн |
| 4000+ | 21.88 грн |
| IPD038N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.95 грн |
| 10+ | 65.44 грн |
| 100+ | 43.56 грн |
| 500+ | 32.06 грн |
| 1000+ | 29.22 грн |