IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 25.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 120A; 107W; DPAK; SMT, Electrical mounting: SMT, Technology: SiC, Gate charge: 45nC, On-state resistance: 3.85mΩ, Gate-source voltage: 20V, Drain-source voltage: 60V, Power dissipation: 107W, Drain current: 120A, Case: DPAK, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції IPD038N06NF2SATMA1 за ціною від 26.60 грн до 117.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD038N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD038N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V |
на замовлення 3417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD038N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 11829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD038N06NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 120A; 107W; DPAK; SMT Electrical mounting: SMT Technology: SiC Gate charge: 45nC On-state resistance: 3.85mΩ Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 107W Drain current: 120A Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|