IPD040N03L G

IPD040N03L G Infineon Technologies


Infineon_IPD040N03LG_DS_v01_02_en-1227077.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.99 грн
10+ 68.13 грн
100+ 46.1 грн
500+ 39.04 грн
1000+ 33.36 грн
2500+ 28.34 грн
10000+ 28.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD040N03L G Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPD040N03L G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD040N03LG IPD040N03LG Виробник : Infineon Technologies INFNS16968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
товар відсутній