на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 339+ | 37.73 грн |
| 377+ | 33.98 грн |
| 393+ | 32.57 грн |
| 500+ | 29.29 грн |
| 1000+ | 23.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.00405 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00405ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD040N03LF2SATMA1 за ціною від 21.80 грн до 104.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.00405 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.00405 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00405ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPD040N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V |
на замовлення 1846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency |
на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 73A; 75W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 30V Drain current: 73A Power dissipation: 75W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 4.05mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPD040N03LF2SATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |