Продукція > INFINEON > IPD040N03LF2SATMA1
IPD040N03LF2SATMA1

IPD040N03LF2SATMA1 INFINEON

4421046.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+42.51 грн
500+32.53 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD040N03LF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD040N03LF2SATMA1 за ціною від 23.82 грн до 125.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies IPD040N03LF2SATMA1.pdf Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.36 грн
10+57.27 грн
100+37.84 грн
500+27.68 грн
1000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1 INFINEON 4421046.pdf Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.96 грн
13+64.30 грн
100+42.51 грн
500+32.53 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD040N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 3728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.81 грн
10+76.68 грн
100+44.05 грн
500+34.61 грн
1000+29.60 грн
2000+26.78 грн
4000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1.pdf
IPD040N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+94.36 грн
10+57.27 грн
100+37.84 грн
500+27.68 грн
1000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 4421046.pdf
IPD040N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+101.96 грн
13+64.30 грн
100+42.51 грн
500+32.53 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 Infineon_IPD040N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IPD040N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 3728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.81 грн
10+76.68 грн
100+44.05 грн
500+34.61 грн
1000+29.60 грн
2000+26.78 грн
4000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.