на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 339+ | 37.47 грн |
| 377+ | 33.74 грн |
| 393+ | 32.34 грн |
| 500+ | 29.09 грн |
| 1000+ | 23.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD040N03LF2SATMA1 за ціною від 21.64 грн до 110.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPD040N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V |
на замовлення 1846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency |
на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPD040N03LF2SATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |