Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD040N03LGATMA1
IPD040N03LGATMA1

IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies

ipd040n03lg_rev11.02.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+21.67 грн
29+20.98 грн
100+19.90 грн
250+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPD040N03LGATMA1 за ціною від 22.10 грн до 101.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.66 грн
10+49.89 грн
36+24.94 грн
99+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.59 грн
10+62.17 грн
36+29.93 грн
99+28.30 грн
2500+27.76 грн
5000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1
Код товару: 128410
Додати до обраних Обраний товар

IPD040N03LG_rev1.01.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD040N03LG_rev1.01.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD040N03LG_rev1.01.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD040N03LG_DS_v01_02_en-1227077.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.