Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD040N03LGATMA1

IPD040N03LGATMA1

infineon-ipd040n03l-g-datasheet-en.pdf
Код товару: 128410
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD040N03LGATMA1 за ціною від 28.72 грн до 139.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.62 грн
15+53.52 грн
25+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.36 грн
10+58.96 грн
32+30.41 грн
88+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd040n03l-g-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.36 грн
10+85.24 грн
50+63.97 грн
100+53.61 грн
500+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 ipd040n03lg_rev11.02.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.62 грн
15+53.52 грн
25+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.36 грн
10+58.96 грн
32+30.41 грн
88+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 infineon-ipd040n03l-g-datasheet-en.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.36 грн
10+85.24 грн
50+63.97 грн
100+53.61 грн
500+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 ipd040n03lg_rev11.02.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.