на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 182.75 грн |
10+ | 134.68 грн |
100+ | 84.29 грн |
500+ | 67.28 грн |
1000+ | 62.06 грн |
2000+ | 59.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V.
Інші пропозиції IPD040N08NF2SATMA1 за ціною від 49.87 грн до 183.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD040N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPD040N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IPD040N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |