Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD040N08NF2SATMA1
IPD040N08NF2SATMA1

IPD040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.67 грн
10+122.24 грн
100+85.45 грн
500+64.60 грн
1000+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPD040N08NF2SATMA1 за ціною від 50.55 грн до 194.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD040N08NF2SATMA1 IPD040N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.08 грн
10+131.30 грн
100+79.39 грн
500+64.12 грн
1000+62.68 грн
2000+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd040n08nf2s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 IPD040N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4 Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.