Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD042P03L3GATMA1
IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.42 грн
5000+43.61 грн
7500+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD042P03L3GATMA1 за ціною від 48.35 грн до 193.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.69 грн
5000+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.69 грн
5000+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.26 грн
10+102.96 грн
100+70.12 грн
500+52.60 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+193.45 грн
78+180.31 грн
100+154.04 грн
200+141.63 грн
500+120.48 грн
1000+98.05 грн
2000+95.20 грн
2500+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD042P03L3_G_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
на замовлення 19437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 INFINEON INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 INFINEON INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.69 грн
5000+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.69 грн
5000+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.26 грн
10+102.96 грн
100+70.12 грн
500+52.60 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+193.45 грн
78+180.31 грн
100+154.04 грн
200+141.63 грн
500+120.48 грн
1000+98.05 грн
2000+95.20 грн
2500+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 Infineon_IPD042P03L3_G_DS_v02_02_en.pdf
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
на замовлення 19437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.