IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies


8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS P3 Power-Transistor
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD042P03L3GATMA1 за ціною від 49.17 грн до 168.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.39 грн
5000+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.65 грн
5000+58.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.34 грн
500+80.47 грн
1000+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.32 грн
50+107.29 грн
100+93.26 грн
500+73.72 грн
1000+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD042P03L3_G_DS_v02_02_en-1227138.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 20408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.63 грн
10+121.83 грн
100+87.55 грн
250+86.81 грн
500+74.30 грн
1000+62.83 грн
2500+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.73 грн
10+100.16 грн
100+71.30 грн
500+53.49 грн
1000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+168.01 грн
78+156.60 грн
100+133.78 грн
200+123.00 грн
500+104.63 грн
1000+85.16 грн
2000+82.67 грн
2500+81.69 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 IPD042P03L3GATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.