IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.05 грн |
| 10+ | 56.49 грн |
| 100+ | 32.37 грн |
| 500+ | 25.63 грн |
| 1000+ | 23.57 грн |
| 2000+ | 19.97 грн |
| 4000+ | 18.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 71A; 65W; DPAK; SMT, Technology: MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 71A, Power dissipation: 65W, Case: DPAK, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Electrical mounting: SMT, On-state resistance: 4.7mΩ.
Інші пропозиції IPD047N03LF2SATMA1 за ціною від 23.26 грн до 23.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD047N03LF2SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 71A; 65W; DPAK; SMT Technology: MOSFET Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 71A Power dissipation: 65W Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Electrical mounting: SMT On-state resistance: 4.7mΩ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|