Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD047N03LF2SATMA1
IPD047N03LF2SATMA1

IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.49 грн
10+51.63 грн
100+33.98 грн
500+24.76 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPD047N03LF2SATMA1 за ціною від 18.72 грн до 91.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD047N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.31 грн
10+56.65 грн
100+32.46 грн
500+25.70 грн
1000+23.63 грн
2000+20.03 грн
4000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD047N03LF2SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 71A; 65W; DPAK; SMT
Technology: MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
On-state resistance: 4.7mΩ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.