IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 37.08 грн |
| 5000+ | 33.25 грн |
| 7500+ | 32.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-311, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPD048N06L3GATMA1 за ціною від 32.68 грн до 137.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD048N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD048N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD048N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD048N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-311 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V |
на замовлення 9844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD048N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 5144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD048N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8400 @ 30, Qg, нКл = 50, Rds = 4,8 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IPD048N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |