Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD048N06L3GATMA1
IPD048N06L3GATMA1

IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies

ipd048n06l3_rev2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-311, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPD048N06L3GATMA1 за ціною від 26.94 грн до 126.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd048n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD048N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b4f496e4db0 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.81 грн
10+78.60 грн
100+54.49 грн
500+40.87 грн
1000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD048N06L3_DS_v02_00_en-3084763.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.77 грн
10+84.35 грн
100+50.33 грн
500+40.45 грн
1000+37.43 грн
2500+33.50 грн
5000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd048n06l3_rev2.0.pdf IPD048N06L3 G
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD048N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b4f496e4db0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; 115W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd048n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD048N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b4f496e4db0 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.