Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD048N06L3GATMA1
IPD048N06L3GATMA1

IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD048N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b4f496e4db0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD048N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm.

Інші пропозиції IPD048N06L3GATMA1 за ціною від 51.12 грн до 189.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd048n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd048n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd048n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 9261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+102.35 грн
500+92.13 грн
1000+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD048N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b4f496e4db0 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 7308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.87 грн
10+101.19 грн
50+76.81 грн
100+64.68 грн
500+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd048n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd048n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd048n06l3_ds_en.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD048N06L3-DS-v02_00-en.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8400 @ 30, Qg, нКл = 50, Rds = 4,8 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 INFINEON infineon-ipd048n06l3-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPD048N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 INFINEON infineon-ipd048n06l3-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPD048N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 ipd048n06l3_rev2.0.pdf
IPD048N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 ipd048n06l3_rev2.0.pdf
IPD048N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 ipd048n06l3_rev2.0.pdf
IPD048N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 9261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
347+102.35 грн
500+92.13 грн
1000+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 Infineon-IPD048N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b4f496e4db0
IPD048N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 7308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.87 грн
10+101.19 грн
50+76.81 грн
100+64.68 грн
500+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 ipd048n06l3_rev2.0.pdf
IPD048N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 ipd048n06l3_rev2.0.pdf
IPD048N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 infineon_ipd048n06l3_ds_en.pdf
IPD048N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 Infineon-IPD048N06L3-DS-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8400 @ 30, Qg, нКл = 50, Rds = 4,8 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 infineon-ipd048n06l3-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD048N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1 infineon-ipd048n06l3-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD048N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.