Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD04N03LB G
IPD04N03LB G

IPD04N03LB G Infineon Technologies

IP%28D%2CF%2CS%2CU%2904N03LB_G.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.28 грн
10+ 66.59 грн
100+ 58.3 грн
500+ 51.38 грн
1000+ 50.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD04N03LB G Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPD04N03LB G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD04N03LBG IPD04N03LBG Виробник : Rochester Electronics, LLC INFNS11849-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPD04N03LBG Виробник : infineon INFNS11849-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD04N03LB G IPD04N03LB G Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%2904N03LB_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товар відсутній
IPD04N03LB G IPD04N03LB G Виробник : Infineon Technologies IPD04N03LB_v1.7_G-94220.pdf MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2
товар відсутній